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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    83

    导（dǎo）通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    99

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    40

    通道极性：

    N沟道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,99mΩ,40A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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