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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    11

    驱动（dòng）电压（yā）(V)：

    10

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220-3/-55~125

    描述：

    650V，360mΩ，11A，N沟（gōu）道基于超级结（jié）技（jì）术的功（gōng）率MOSFET



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